台积电亚利桑那厂晶片良率传超越台湾

台积电位于美国亚利桑那州第一座厂的初期良率已超过台湾同类工厂，对最初深受延误和劳资纠纷困扰的美国扩建项目而言是重大突破，同时表明美国重振本土晶片制造初见成效。

彭博社星期五（10月25日）引述一名活动参与者透露，台积电美国分部总裁卡西迪（Rick Cassidy）星期三（23日）在一场网络研讨会中告诉听众，台积电凤凰城厂生产的晶片良率比台湾同类工厂高出约4个百分点。

良率是半导体产业的关键衡量标准，并决定公司是否能够承担晶片厂的巨额成本。

这项成就标志着华盛顿重振美国半导体制造的努力取得进展。台积电是英伟达和苹果的主要晶片制造合作伙伴，预计将赢得66亿美元（87亿美元）的政府补助和50亿美元的贷款，另还有25％税收抵免，在亚利桑那州将建造三座晶圆厂。

台积电发言人拒绝直接就卡西迪的活动发表评论，但提及总裁魏哲家上周在投资者电话会议上的说法。

魏哲家当时表示，第一座厂于今年4月采用4纳米制程进行工程晶圆生产，具备非常好的良率。这对于台积电和客户来说是一个重要的里程碑，展示了台积电强大的制造能力和执行力。

台积电在亚利桑那州的第一座晶圆厂，将于2025年上半年开始生产4纳米制程技术；第二座晶圆厂采用最先进的2纳米制程技术，将在2028年投产。

台积电今年4月发表声明，计划在美国亚利桑那州盖第三座先进晶圆厂，在当地总投资金额将超过650亿美元。这是亚利桑那州史上规模最大的外国直接投资案，也是美国史上规模最大的外国在美直接绿地（greenfield）投资案。